AMD粉丝的福利！海外极客拆解Ryzen 5 9600X，高清CCD图曝光

摘要： 近日拥有千万粉丝的网红东北雨姐因*打假博主以及被指售卖的红薯粉里没有红薯成分等事件陷入塌房风波网友东北雨哥图片源自其社交账号截图目前东北雨姐已掉粉超百万自月日发布声明后东北雨姐账号...

近日，拥有千万粉丝的网红“东北雨姐”因*打假博主以及被指售卖的红薯粉里没有红薯成分等事件，陷入“塌房”风波。网友“东北雨哥”，图片源自其社交账号截图目前，“东北雨姐”已掉粉超百万。自9月30日发布声明后，“东北雨姐”账号至今仍未更新内容。在“东北雨姐”面临“塌房”危机之时，一位名为“东北雨哥”的短视...

8月初，AMD Ryzen 9000系列处理器终于正式上市，由于多种原因，其全部性能目前尚无法全部发挥出来，因此，现阶段大家的关注重点还是在性能方面。不过，本文的主题并不是介绍Ryzen 9000系列处理器的性能，也不是它的纸面参数，而是其硬件层面的内部构造。

——是的，你没有看错，近期海外极客F tzchens F tz拆解了Ryzen 5 9600X这款处理器，并用专业设备拍下了放大后的内部高清图片， 具有参考价值。

具体而言， Ryzen 5 9600X采用单个Zen 5 CCD（部分高端型号有两个CCD）和单个IOD，请参阅上图。可能有些朋友不理解什么是处理器的“CCD”和“IOD”，下面小编科普一下：

CCD是处理器内部的关键组成部分，它的主要职责是负责执行各种计算任务。它包含了多个计算单元（如CCX），这些计算单元可以协同工作，以实现 的数据处理，大家可以把CCD理解成是处理器的计算单元。

IOD是处理器中的输入/输出内核的简称，主要负责处理与输入/输出相关的功能。包括内存控制器、IO控制器、IF总线等。这些组件协同工作，用以实现处理器与外部设备之间的数据传输和通信，大家可以把IOD理解成是处理器的输入/输出内核，具体情况请参阅上图。

在AMD所发布的某些处理器型号中，CCD和IOD部分可能是由不同代工厂所制造的，或者由同一代工厂使用不同的工艺制程所制造，最后再封装在一起的，IOD部分的制造工艺往往落后于CCD。

下面小编举一个例子：比如Ryzen Thread pper 3990X这款处理器，拥有64核128线程，其CCD部分采用台积电7nm工艺制造，IO部分采用格罗方德12nm工艺制造，请参阅上图。

所以，在对于某款处理器的严谨介绍中，这两部分的制造工艺往往是分开介绍的，而一般谈及某款处理器的制造工艺主要是指CCD部分的制造工艺。

AMD Zen 5 CCD芯片（Eldora）的面积为70.6mm²，拥有831.5亿个晶体管，采用台积电N4P工艺制造，而IDO芯片则与上一代保持不变，继续使用台积电6nm工艺制造。

另外，相比之前的Zen 3 CCD和Zen 4 CCD，Zen 5 CCD有一个明显的变化，其TSV（硅通孔）的数量要少得多。要理解这些，首先就必须理解“TSV”是什么，以下是简要介绍：

TSV的英文全文为“Through Silicon Via”，中文意思是指硅通孔技术。这是一种先进的三维集成电路封装技术，通过在芯片上制作垂直贯通的微小通孔，在通孔中填充导电材料（如铜、钨等），可以实现芯片内部不同层面之间以及芯片之间的垂直电气连接。

它的优势在于可以通过垂直堆叠不同功能的芯片，可以大幅度提高电子元器件的集成度，还可以减小封装的几何尺寸和封装重量、降低功耗和提升性能。

尽管拥有诸多优势，TSV技术目前尚不完全成熟、完善，也存在着一些问题和短板。简单来说，主要是技术难度大、成本高，良品率低，还需要继续进一步完善。

Zen 5 CCD的TSV（硅通孔）数量减少，说明台积电方面的制造工艺有一定的调整，至于具体的调整原因，现在没有可靠权威的说法。

目前有一种主流的说法是TSVs在L3缓存中的位置可能会给Zen 5 CCD带来压力，因此要想办法减少其所占用的空间，为搭载大容量3D V-cache型号预留空间。

虽然目前采用Zen 5架构的Ryzen 9000系列处理器已经发布上市，但是Ryzen 9000系列处理器只是采用Zen 5 CCD的一部分产品线而已，预计未来它也将应用于St x、St x Halo和Fire Range Krackan等在内的多个产品线。

当然，AMD Zen 5架构的实际体验如何，还有待市场和消费者进行验证。

补充说明：本文是有关Ryzen 5 9600X和Zen 5架构硬件层面的分析，其中一部分来自于海外科技博主F tzchens F tz，另外一部分来自于小编个人的分析解读，并非来自于AMD ，由于水平有限，不保证内容绝对准确，仅供参考。